Infineon Technologies IPT007N06N دیتاشیت

IPT007N06N

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPT007N06N
حجم فایل 32.709 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت IPT007N06N-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPT007N06N
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C
  • Power Dissipation (Pd): 375W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 216nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 21280pF@30V
  • Continuous Drain Current (Id): 300A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.8V@280uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 458pF@30V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 0.75mΩ@10V,150A
  • Package: HSOF-8-1

محصولات مشابه